AOT25S65L
Výrobca Číslo produktu:

AOT25S65L

Product Overview

Výrobca:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Číslo dielu:

AOT25S65L-DG

Popis:

MOSFET N-CH 650V 25A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220

Inventár:

Online RFQ
12846854
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

AOT25S65L Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Balenie
Tube
Seriál
aMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
190mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
26.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1278 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
357W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
AOT25S65

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
AOT25S65L-DG
Výkresy produktov
TO220 Pkg Drawing
Technické listy
AOT25S65L

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
5202-AOT25S65L
AOT25S65L-DG
785-1514-5

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IPP65R190E6XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
580
ČÍSLO DIELU
IPP65R190E6XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.52
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SPP24N60C3XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
129
ČÍSLO DIELU
SPP24N60C3XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.95
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP28N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1020
ČÍSLO DIELU
STP28N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.40
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPP60R190C6XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4500
ČÍSLO DIELU
IPP60R190C6XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.40
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPP60R190E6XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1985
ČÍSLO DIELU
IPP60R190E6XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.41
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
onsemi

FDPF12N60NZ

MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

onsemi

CPH6354-TL-H

MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH

onsemi

FDG329N

MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88

onsemi

FDS6688S

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC