Výrobca Číslo produktu:
AOT2618L
Product Overview
Výrobca:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Číslo dielu:
AOT2618L-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 7A (Ta), 23A (Tc) 2.1W (Ta), 41.5W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
539 Ks Nové Originálne Na Sklade
12849508
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
AOT2618L Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Ta), 23A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
19mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
950 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.1W (Ta), 41.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
AOT2618
Technické údaje a dokumenty
Výkresy produktov
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
785-1438-5
5202-AOT2618L
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQP47P06_NW82049
MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
AOD7S65
MOSFET N-CH 650V 7A TO252
AO4482L
MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
