Výrobca Číslo produktu:
AOW29S50
Product Overview
Výrobca:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Číslo dielu:
AOW29S50-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 29A TO262
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 29A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-262
Inventár:
12848764
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
AOW29S50 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Balenie
-
Seriál
aMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
29A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
150mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
26.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1312 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
357W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
AOW29
Technické údaje a dokumenty
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
785-1427-5
5202-AOW29S50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STI33N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STI33N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.72
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SPI21N50C3XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
450
ČÍSLO DIELU
SPI21N50C3XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.97
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BS270-D74Z
MOSFET N-CH 60V 400MA TO92-3
FDPF8D5N10C
MOSFET N-CH 100V 76A TO220F
CPH6341-TL-E
MOSFET P-CH 30V 5A 6CPH