Výrobca Číslo produktu:
AOWF095A60
Product Overview
Výrobca:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Číslo dielu:
AOWF095A60-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 38A TO262F
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 38A (Tj) 34.5W (Tc) Through Hole TO-262F
Inventár:
12938527
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
AOWF095A60 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Balenie
Tube
Seriál
aMOS5™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
38A (Tj)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
95mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4010 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
34.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262F
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
AOWF095
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
5202-AOWF095A60
785-AOWF095A60
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TP65H035G4WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
MCM1567-TP
MOSFET P-CH 20V 9A DFN2020-6J
AOB160A60L
MOSFET N-CH 600V 24A TO263
