Výrobca Číslo produktu:
AOWF10N65
Product Overview
Výrobca:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Číslo dielu:
AOWF10N65-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 10A TO262F
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-262F
Inventár:
12849091
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
AOWF10N65 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1645 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262F
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
AOWF10
Technické údaje a dokumenty
Výkresy produktov
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
5202-AOWF10N65
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDD13AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
AON7408
MOSFET N-CH 30V 10A/18A 8DFN
AON6508
MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFN
