Výrobca Číslo produktu:
MMBT5551
Product Overview
Výrobca:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Číslo dielu:
MMBT5551-DG
Popis:
HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3L
Inventár:
56955 Ks Nové Originálne Na Sklade
13002092
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
MMBT5551 Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednoduché bipolárne tranzistory
Výrobca
Anbon Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
NPN
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
600 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
160 V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
50nA (ICBO)
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Výkon - Max
350 mW
Frekvencia - Prechod
100MHz
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3L
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
4530-MMBT5551DKR
4530-MMBT5551TR
4530-MMBT5551CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BCV46-QR
BCV46-Q/SOT23/TO-236AB
BSR30-QX
BSR30-Q/SOT89/MPT3
BSR19A-QR
BSR19A-Q/SOT23/TO-236AB