ACMSN2312T-HF

Výrobca Číslo produktu:

ACMSN2312T-HF

Product Overview

Výrobca:

Comchip Technology

Číslo dielu:

ACMSN2312T-HF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Podrobný popis:

N-Channel 20 V 4.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventár:

Online RFQ

12947836

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

ACMSN2312T-HF Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Comchip Technology

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

20 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

4.9A (Ta)

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

31mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Max.) @ Id

1.2V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

14 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±8V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

500 pF @ 8 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

750mW (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Trieda

Automotive

Kvalifikácia

AEC-Q101

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

SOT-23-3

Balenie / puzdro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Základné číslo produktu

ACMSN2312

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

ACMSN2312T-HF-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

641-ACMSN2312T-HFTR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

siliconix

ND2012L

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

IRF7205TRPBF

IRF7205 - 20V-250V P-CHANNEL POW

stmicroelectronics

STP34NM60ND

MOSFET N-CH 600V 29A TO220

CMS100N03H8-HF

MOSFET N-CH 30V 100A DFN5X6