Výrobca Číslo produktu:
BSS8402DW-7-F
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
BSS8402DW-7-F-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Surface Mount SOT-363
Inventár:
810 Ks Nové Originálne Na Sklade
12883871
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSS8402DW-7-F Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V, 50V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
115mA, 130mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
-
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Výkon - Max
200mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
SOT-363
Základné číslo produktu
BSS8402
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
BSS8402DW-FDITR
BSS8402DW-FDIDKR
BSS8402DW7F
BSS8402DW-FDICT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN2990UDJ-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT963
DMC1229UFDB-7
MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
DMG8601UFG-7
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN
