DMC67D8UFDBQ-13
Výrobca Číslo produktu:

DMC67D8UFDBQ-13

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMC67D8UFDBQ-13-DG

Popis:

MOSFET N/P-CH 60V 0.39A 6UDFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V, 20V 390mA (Ta), 2.9A (Ta) 580mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)

Inventár:

Online RFQ
12884768
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

DMC67D8UFDBQ-13 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel Complementary
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V, 20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
390mA (Ta), 2.9A (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4Ohm @ 500mA, 10V, 72mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA, 1.25V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.4pC @ 4.5V, 7.3nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
41pF @ 25V, 443pF @ 16V
Výkon - Max
580mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-UDFN Exposed Pad
Balík zariadení dodávateľa
U-DFN2020-6 (Type B)
Základné číslo produktu
DMC67

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
DMC67D8UFDBQ-13-DG
Technické listy
DMC67D8UFDBQ-13

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
10,000
Iné mená
DMC67D8UFDBQ-13DI

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
diodes

DMN6022SSD-13

MOSFET 2N-CH 60V 6A/14A 8SO

diodes

DMP2900UV-13

MOSFET 2P-CH 20V 0.85A SOT563

diodes

DMN3190LDW-13

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

diodes

DMT3006LPB-13

MOSFET 2N-CH 11A/35A POWERDI50