Výrobca Číslo produktu:
DMG1012UW-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMG1012UW-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Inventár:
593095 Ks Nové Originálne Na Sklade
12884551
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMG1012UW-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.74 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±6V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
60.67 pF @ 16 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
290mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-323
Balenie / puzdro
SC-70, SOT-323
Základné číslo produktu
DMG1012
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
DMG1012UW-7DICT
DMG1012UW7
DMG1012UW-7DIDKR
DMG1012UW-7DITR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMP2109UVT-13
MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26
DMP2003UPS-13
MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
DMPH4015SPS-13
MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8