Výrobca Číslo produktu:
DMG1013UWQ-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMG1013UWQ-13-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 820mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Inventár:
37990 Ks Nové Originálne Na Sklade
12902981
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMG1013UWQ-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
820mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
750mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.62 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±6V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
59.76 pF @ 16 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
310mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-323
Balenie / puzdro
SC-70, SOT-323
Základné číslo produktu
DMG1013
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10,000
Iné mená
31-DMG1013UWQ-13TR
31-DMG1013UWQ-13DKR
31-DMG1013UWQ-13CT
DMG1013UWQ-13-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
ZXMN2A01FTA
MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
ZVN4306ASTZ
MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE
DMN2990UFO-7B
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN