Výrobca Číslo produktu:
DMG3401LSNQ-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMG3401LSNQ-7-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 3A (Ta) 800mW Surface Mount SC-59-3
Inventár:
13270059
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMG3401LSNQ-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
50mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1326 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
800mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SC-59-3
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
DMG3401
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
31-DMG3401LSNQ-7CT
31-DMG3401LSNQ-7TR
31-DMG3401LSNQ-7DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMTH6005LFG-7
MOSFET N-CH 60V 19.7A/100A PWRDI
DMTH69M8LFVW-13
MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
DMT64M2LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI
