Výrobca Číslo produktu:
DMG3414U-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMG3414U-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventár:
217365 Ks Nové Originálne Na Sklade
12884202
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMG3414U-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
900mV @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
9.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
829.9 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
780mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
DMG3414
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
DMG3414U-7DIDKR
DMG3414U-7DICT
DMG3414U7
DMG3414U-7DITR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMT4008LSS-13
MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SO
DMN67D8LV-7
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
2N7002W-7
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323
