Výrobca Číslo produktu:
DMG4N60SCT
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMG4N60SCT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 4.5A (Ta) 113W (Ta) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12891714
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMG4N60SCT Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
532 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
113W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
DMG4
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
AOT4N60
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
423
ČÍSLO DIELU
AOT4N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.35
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FQP6N80C
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
344
ČÍSLO DIELU
FQP6N80C-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.93
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP4NK60Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
851
ČÍSLO DIELU
STP4NK60Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.65
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN3016LFDF-13
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
DMN3010LK3-13
MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252
SSM3K15ACTC,L3F
MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
