Výrobca Číslo produktu:
DMG6301UDW-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMG6301UDW-7-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Podrobný popis:
Mosfet Array 25V 240mA 300mW Surface Mount SOT-363
Inventár:
2990 Ks Nové Originálne Na Sklade
12892010
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMG6301UDW-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
240mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.36nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
27.9pF @ 10V
Výkon - Max
300mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
SOT-363
Základné číslo produktu
DMG6301
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
DMG6301UDW-7DITR
DMG6301UDW-7DIDKR
DMG6301UDW-7DICT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDG6301N
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
69606
ČÍSLO DIELU
FDG6301N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.11
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
PJT7828_R1_00001
VÝROBCA
Panjit International Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3505
ČÍSLO DIELU
PJT7828_R1_00001-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.05
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMC21D1UDA-7B
MOSFET N/P-CH 20V 0.455A 6DFN
DMN2004DWK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
DMNH6065SPDW-13
MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
