Výrobca Číslo produktu:
DMN10H220LFDF-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN10H220LFDF-7-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 2.2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventár:
2770 Ks Nové Originálne Na Sklade
12979335
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN10H220LFDF-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
225mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
384 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.1W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
U-DFN2020-6 (Type F)
Balenie / puzdro
6-UDFN Exposed Pad
Základné číslo produktu
DMN10
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
31-DMN10H220LFDF-7TR
31-DMN10H220LFDF-7CT
31-DMN10H220LFDF-7DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NVTFWS070N10MCLTAG
PTNG 100V LL U8FL
DMT35M4LFDF-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMTH10H009LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
