Výrobca Číslo produktu:
DMN10H220LFVW-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN10H220LFVW-13-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 11A (Tc) 2.4W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventár:
12979141
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN10H220LFVW-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
222mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
366 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.4W (Ta), 41W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount, Wettable Flank
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
DMN10
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
31-DMN10H220LFVW-13TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMN10H220LFVW-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
DMN10H220LFVW-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.10
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN2310UT-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
DMTH47M2SPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMT10H003SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
