Výrobca Číslo produktu:
DMN1150UFL3-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN1150UFL3-7-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 12V 2A 390mW Surface Mount X2-DFN1310-6 (Type B)
Inventár:
12884322
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN1150UFL3-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
150mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
115pF @ 6V
Výkon - Max
390mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-XFDFN Exposed Pad
Balík zariadení dodávateľa
X2-DFN1310-6 (Type B)
Základné číslo produktu
DMN1150
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
DMN1150UFL3-7DICT
DMN1150UFL3-7DIDKR
DMN1150UFL3-7DITR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMC1030UFDB-13
MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
DMN601VK-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
DMC4050SSDQ-13
MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO