Výrobca Číslo produktu:
DMN2010UDZ-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN2010UDZ-7-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 24V 11A 6UDFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 24V 11A 700mW Surface Mount U-DFN2535-6
Inventár:
73 Ks Nové Originálne Na Sklade
12888020
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN2010UDZ-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Cut Tape (CT)
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
24V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33.2nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2665pF @ 10V
Výkon - Max
700mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-UDFN Exposed Pad
Balík zariadení dodávateľa
U-DFN2535-6
Základné číslo produktu
DMN2010
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
DMN2010UDZ-7-DG
DMN2010UDZ-7DICT
DMN2010UDZ-7DIDKR
DMN2010UDZ-7DITR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMG6602SVTQ-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
DMN4034SSD-13
MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO
DMN1003UCA6-7
MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6