Výrobca Číslo produktu:
DMN2020LSN-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN2020LSN-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 6.9A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Inventár:
87491 Ks Nové Originálne Na Sklade
12888633
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN2020LSN-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.9A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1149 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
610mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SC-59-3
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
DMN2020
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
DMN2020LSN7
DMN2020LSN-7DITR
DMN2020LSN-7DICT
DMN2020LSN-7DIDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN2005UFG-7
MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
DMP2067LVT-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
DMG4407SSS-13
MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
