DMN2024UQ-13
Výrobca Číslo produktu:

DMN2024UQ-13

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMN2024UQ-13-DG

Popis:

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 6.8A (Ta) 800mW Surface Mount SOT-23-3

Inventár:

12987264
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

DMN2024UQ-13 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.8A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
900mV @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
647 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
800mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
DMN2024

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
10,000
Iné mená
31-DMN2024UQ-13TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
DMN2024UQ-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2010
ČÍSLO DIELU
DMN2024UQ-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.09
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

TW015N65C,S1F

G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH

renesas-electronics-america

2SK3714-S12-AZ

2SK3714-S12-AZ - SWITCHING N-CHA

vishay-siliconix

SQ3419AEEV-T1_BE3

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

rohm-semi

RS6P100BHTB1

NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF