Výrobca Číslo produktu:
DMN2029USD-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN2029USD-13-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 5.8A 1.2W Surface Mount 8-SO
Inventár:
10847 Ks Nové Originálne Na Sklade
12887629
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN2029USD-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.8A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18.6nC @ 8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1171pF @ 10V
Výkon - Max
1.2W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Základné číslo produktu
DMN2029
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
DMN2029USD-13DITR
DMN2029USD-13DICT
DMN2029USD-13DIDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMTH6016LSDQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
DMC2041UFDB-13
MOSFET N/P-CH 20V 4.7A 6UDFN
DMC2041UFDB-7
MOSFET N/P-CH 20V 4.7A 6UDFN
