DMN2100UDM-7
Výrobca Číslo produktu:

DMN2100UDM-7

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMN2100UDM-7-DG

Popis:

MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 3.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-26

Inventár:

4790 Ks Nové Originálne Na Sklade
12882127
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

DMN2100UDM-7 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
55mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
555 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-26
Balenie / puzdro
SOT-23-6
Základné číslo produktu
DMN2100

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
DMN2100UDMDIDKR
DMN2100UDMDICT
DMN2100UDM7
DMN2100UDMDITR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
diodes

DMTH4004LPSQ-13

MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8

diodes

DMP2109UVT-7

MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26

diodes

DMP34M4SPS-13

MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8

vishay-siliconix

IRFD9014

MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP