Výrobca Číslo produktu:
DMN21D2UFB-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN21D2UFB-7-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 760mA (Ta) 380mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventár:
12978564
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN21D2UFB-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
760mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.93 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
27.6 pF @ 16 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
380mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
X1-DFN1006-3
Balenie / puzdro
3-UFDFN
Základné číslo produktu
DMN21
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
31-DMN21D2UFB-7TR
31-DMN21D2UFB-7DKR
31-DMN21D2UFB-7CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMN21D2UFB-7B
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
54090
ČÍSLO DIELU
DMN21D2UFB-7B-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.05
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMTH4014SPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMTH4M70SPGWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
DMN2710UWQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
