DMN2310UT-13
Výrobca Číslo produktu:

DMN2310UT-13

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMN2310UT-13-DG

Popis:

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 1.2A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SOT-523

Inventár:

Online RFQ
13000516
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

DMN2310UT-13 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
240mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
950mV @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
38 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
290mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-523
Balenie / puzdro
SOT-523
Základné číslo produktu
DMN2310

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
DMN2310UT

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
10,000
Iné mená
31-DMN2310UT-13TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
DMN2310UTQ-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2963
ČÍSLO DIELU
DMN2310UTQ-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.04
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
diodes

DMTH8008SFG-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

infineon-technologies

IPDQ60R025CFD7XTMA1

HIGH POWER_NEW

infineon-technologies

IPDQ60R015CFD7XTMA1

HIGH POWER_NEW

diodes

DMP26M1UFG-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333