Výrobca Číslo produktu:
DMN2450UFB4Q-7B
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN2450UFB4Q-7B-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventár:
12979080
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN2450UFB4Q-7B Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
900mV @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
56 pF @ 16 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
X2-DFN1006-3
Balenie / puzdro
3-XFDFN
Základné číslo produktu
DMN2450
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10,000
Iné mená
31-DMN2450UFB4Q-7BTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMN2450UFB4-7B
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
18897
ČÍSLO DIELU
DMN2450UFB4-7B-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.03
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
DMN2450UFB4-7R
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8052
ČÍSLO DIELU
DMN2450UFB4-7R-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.03
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN2310UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
DMN61D9UT-13
2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K
DMN3061SW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R