Výrobca Číslo produktu:
DMN2451UFB4-7B
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN2451UFB4-7B-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventár:
12978620
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN2451UFB4-7B Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
32 pF @ 16 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
660mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
X2-DFN1006-3
Balenie / puzdro
3-XFDFN
Základné číslo produktu
DMN2451
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10,000
Iné mená
31-DMN2451UFB4-7BTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMN2451UFB4Q-7R
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
DMN2451UFB4Q-7R-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.02
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
DMN2451UFB4Q-7B
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
135
ČÍSLO DIELU
DMN2451UFB4Q-7B-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.02
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMP3160LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMN3404LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMT10H9M9SK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R