Výrobca Číslo produktu:
DMN2600UFB-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN2600UFB-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 1.3A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventár:
24346 Ks Nové Originálne Na Sklade
12949408
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN2600UFB-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
350mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.85 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
70.13 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
540mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
X1-DFN1006-3
Balenie / puzdro
3-UFDFN
Základné číslo produktu
DMN2600
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
DMN2600UFB-7DI
DMN2600UFB-7DICT
-DMN2600UFB-7DITR
DMN2600UFB-7DITR
DMN2600UFB-7DI-DG
-DMN2600UFB-7DIDKR
DMN2600UFB-7DIDKR
-DMN2600UFB-7DICT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMP10H4D2S-13
MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3
DMN10H170SFDE-7
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
DMNH4005SCT
MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
