DMN2710UT-7
Výrobca Číslo produktu:

DMN2710UT-7

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMN2710UT-7-DG

Popis:

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 870mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-523

Inventár:

13000646
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

DMN2710UT-7 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
870mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±6V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
42 pF @ 16 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
320mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-523
Balenie / puzdro
SOT-523
Základné číslo produktu
DMN2710

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
31-DMN2710UT-7TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
DMN2710UT-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
DMN2710UT-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.04
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
DMN2710UTQ-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1532
ČÍSLO DIELU
DMN2710UTQ-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.05
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
diodes

DMPH4011SK3-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R

goford-semiconductor

G1002L

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23-3L

diodes

DMN3060LWQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R

diodes

DMN2451UFB4Q-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-