DMN3009LFVQ-13

Výrobca Číslo produktu:

DMN3009LFVQ-13

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMN3009LFVQ-13-DG

Popis:

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 60A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Inventár:

Online RFQ

12986897

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

DMN3009LFVQ-13 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Diodes Incorporated

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

60A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

5.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

3V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

42 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

2000 pF @ 15 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

1W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Trieda

Automotive

Kvalifikácia

AEC-Q101

Typ montáže

Surface Mount, Wettable Flank

Balík zariadení dodávateľa

PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Balenie / puzdro

8-PowerVDFN

Základné číslo produktu

DMN3009

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

31-DMN3009LFVQ-13TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

taiwan-semiconductor

TSM025NH04LCR RLG

40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE

vishay-siliconix

SI7615BDN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK

diodes

DMTH4014LFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

diodes

DMTH4001SPSQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506