Výrobca Číslo produktu:
DMN3009SFGQ-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN3009SFGQ-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 45A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventár:
12888914
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN3009SFGQ-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Ta), 45A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2000 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
900mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI3333-8
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
DMN3009
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMN3009SFG-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
238
ČÍSLO DIELU
DMN3009SFG-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.24
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
TPH6R003NL,LQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2829
ČÍSLO DIELU
TPH6R003NL,LQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.31
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN3009SFG-7
MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
BUK7608-40B,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
DMT6004SCT
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
