Výrobca Číslo produktu:
DMN3010LFG-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN3010LFG-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 30A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventár:
23333 Ks Nové Originálne Na Sklade
12883822
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN3010LFG-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Ta), 30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2075 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
900mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI3333-8
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
DMN3010
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
DMN3010LFG-7DIDKR
DMN3010LFG-7DICT
DMN3010LFG-7DITR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN601WKQ-13
MOSFET N-CH 60V SOT323
DMP4013LFGQ-7
MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
DMP1200UFR4-7
MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
