Výrobca Číslo produktu:
DMN3012LEG-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN3012LEG-13-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 10A (Ta), 20A (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type D)
Inventár:
12950317
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN3012LEG-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Ta), 20A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Výkon - Max
2.2W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerLDFN
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI3333-8 (Type D)
Základné číslo produktu
DMN3012
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
31-DMN3012LEG-13TR
DMN3012LEG-13DI
31-DMN3012LEG-13DKR
31-DMN3012LEG-13CT
DMN3012LEG-13DI-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BUK9V13-40HX
MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
PSMN013-40VLDX
MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
PSMN4R2-40VSHX
MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D
