DMN3026LVTQ-7

Výrobca Číslo produktu:

DMN3026LVTQ-7

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMN3026LVTQ-7-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 6.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26

Inventár:

Online RFQ

12891614

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

DMN3026LVTQ-7 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Diodes Incorporated

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

6.6A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

23mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

12.5 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

643 pF @ 15 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

1.2W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

TSOT-26

Balenie / puzdro

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Základné číslo produktu

DMN3026

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

DMN3026LVTQ-7-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

DMN3026LVTQ-7DICT-DG

DMN3026LVTQ-7DIDKR

31-DMN3026LVTQ-7TR

31-DMN3026LVTQ-7CT

31-DMN3026LVTQ-7DKR

DMN3026LVTQ-7DITR

DMN3026LVTQ-7DIDKR-DG

DMN3026LVTQ-7DITR-DG

DMN3026LVTQ-7DICT

DMN3026LVTQ-7-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU

FDC8886

VÝROBCA

Fairchild Semiconductor

MNOŽSTVO DOSTUPNÉ

142596

ČÍSLO DIELU

FDC8886-DG

CENA ZA JEDNOTKU

0.18

Typ substitútu

MFR Recommended

ČÍSLO DIELU

DMN3026LVT-7

VÝROBCA

Diodes Incorporated

MNOŽSTVO DOSTUPNÉ

8316

ČÍSLO DIELU

DMN3026LVT-7-DG

CENA ZA JEDNOTKU

0.08

Typ substitútu

Parametric Equivalent

ČÍSLO DIELU

DMN3026LVTQ-13

VÝROBCA

Diodes Incorporated

MNOŽSTVO DOSTUPNÉ

0

ČÍSLO DIELU

DMN3026LVTQ-13-DG

CENA ZA JEDNOTKU

0.12

Typ substitútu

Parametric Equivalent

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

diodes

DMN3016LFDF-7

MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN

diodes

DMN30H4D0LFDE-7

MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN

diodes

DMN2009USS-13

MOSFET N-CH 20V 8SOIC

diodes

DMTH10H015SPS-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060