Výrobca Číslo produktu:
DMN3060LW-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN3060LW-7-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 2.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Inventár:
12978759
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN3060LW-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.6A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.8V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
395 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-323
Balenie / puzdro
SC-70, SOT-323
Základné číslo produktu
DMN3060
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
31-DMN3060LW-7TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMN3060LWQ-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3000
ČÍSLO DIELU
DMN3060LWQ-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.05
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
DMN3060LW-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
DMN3060LW-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.05
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PJT7413_S1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
DMTH6016LFVWQ-7-A
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
DMN2055UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
