Výrobca Číslo produktu:
DMN3061SVTQ-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN3061SVTQ-13-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 3.4A (Ta) 880mW Surface Mount TSOT-26
Inventár:
12994286
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN3061SVTQ-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel
Funkcia FET
Standard
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.4A (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.8V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.6nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
278pF @ 15V
Výkon - Max
880mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Balík zariadení dodávateľa
TSOT-26
Základné číslo produktu
DMN3061
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10,000
Iné mená
31-DMN3061SVTQ-13
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2N7002DW-TPQ2
MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363
MCACD20N10Y-TP
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8DFN
SQJQ936EL-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
