Výrobca Číslo produktu:
DMN30H4D1S-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN30H4D1S-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23
Podrobný popis:
N-Channel 300 V 430mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventár:
12883121
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN30H4D1S-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
300 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
430mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
174 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
360mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
DMN30
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
DMN30H4D1S-7DI
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMN30H4D0L-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
20142
ČÍSLO DIELU
DMN30H4D0L-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.15
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2N7002E-7-G
MOSFET N-CH 60V SOT23
2N7002T-7-G
MOSFET N-CH 60V SOT523
DMG2301U-7
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
