Výrobca Číslo produktu:
DMN31D5UFZ-7B
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN31D5UFZ-7B-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 220mA (Ta) 393mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3
Inventár:
84446 Ks Nové Originálne Na Sklade
12888187
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN31D5UFZ-7B Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
220mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.2V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.35 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
22.2 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
393mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
X2-DFN0606-3
Balenie / puzdro
3-XFDFN
Základné číslo produktu
DMN31
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10,000
Iné mená
DMN31D5UFZ-7BDIDKR
DMN31D5UFZ-7BDICT
DMN31D5UFZ-7BDITR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMT36M1LPS-13
MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
DMT6007LFG-13
MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
DMT10H015SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060