Výrobca Číslo produktu:
DMN33D8LDW-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN33D8LDW-13-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 250mA 350mW Surface Mount SOT-363
Inventár:
12888357
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN33D8LDW-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
250mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.23nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
48pF @ 5V
Výkon - Max
350mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
SOT-363
Základné číslo produktu
DMN33
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN65D8LDWQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
DMP32D9UDA-7B
MOSFET 2P-CH 0.22A 6DFN
DMN53D0LDW-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
