DMN33D9LV-13

Výrobca Číslo produktu:

DMN33D9LV-13

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMN33D9LV-13-DG

Popis:

MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563

Podrobný popis:

Mosfet Array 30V 350mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount SOT-563

Inventár:

Online RFQ

12979066

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

DMN33D9LV-13 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, FET, MOSFET pole

Výrobca

Diodes Incorporated

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Konfigurácia

2 N-Channel (Dual)

Funkcia FET

-

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

350mA (Ta)

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

1.4V @ 100µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

1.23nC @ 10V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

48pF @ 5V

Výkon - Max

430mW (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balenie / puzdro

SOT-563, SOT-666

Balík zariadení dodávateľa

SOT-563

Základné číslo produktu

DMN33

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

10,000

Iné mená

31-DMN33D9LV-13DKR

31-DMN33D9LV-13TR

31-DMN33D9LV-13CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

diodes

DMN4027SSDQ-13

MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SOP

diodes

DMP2045UFDB-7

MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6UDFN

diodes

DMN6070SSDQ-13

MOSFET 2N-CH 60V 2.7A 8SO

diodes

DMP22D5UDJ-7A

MOSFET 2P-CH 20V 0.36A SOT963