Výrobca Číslo produktu:
DMN4010LFG-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN4010LFG-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 11.5A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventár:
12888250
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
2Kss
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN4010LFG-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1810 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
930mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI3333-8
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
DMN4010
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RQ3G100GNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
112698
ČÍSLO DIELU
RQ3G100GNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.14
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
DMN4010LFG-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1100
ČÍSLO DIELU
DMN4010LFG-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.17
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMP3017SFGQ-7
MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
DMP6110SVT-7
MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
DMT68M8LFV-7
MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333
