Výrobca Číslo produktu:
DMN6069SFG-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN6069SFG-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 5.6A (Ta), 18A (Tc) 930mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventár:
12883910
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN6069SFG-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.6A (Ta), 18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
50mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1480 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
930mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI3333-8
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
DMN6069
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMN6069SFG-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8608
ČÍSLO DIELU
DMN6069SFG-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.17
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMP3056L-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
DMT6008LFG-7
MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
DMG3406L-13
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23