Výrobca Číslo produktu:
DMN6069SFVWQ-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN6069SFVWQ-13-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 4A (Ta), 14A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventár:
12979506
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN6069SFVWQ-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Ta), 14A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
69mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
740 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount, Wettable Flank
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
DMN6069
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
31-DMN6069SFVWQ-13TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMN6069SFVWQ-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
DMN6069SFVWQ-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.14
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
DMN6069SFVW-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
DMN6069SFVW-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.14
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
KFJ4B01120L
MOSFET P-CH 12V
DMP26M1UFG-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
DMP3165LQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
