DMN60H4D5SK3-13

Výrobca Číslo produktu:

DMN60H4D5SK3-13

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMN60H4D5SK3-13-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

Podrobný popis:

N-Channel 600 V 2.5A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventár:

Online RFQ

12900593

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

sBba

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

DMN60H4D5SK3-13 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Diodes Incorporated

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

600 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

2.5A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

8.2 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±30V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

273.5 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

41W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

TO-252 (DPAK)

Balenie / puzdro

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Základné číslo produktu

DMN60

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

2,500

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Stav nariadenia REACH

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

diodes

BSS138-7

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

fairchild-semiconductor

FQI16N25CTU

MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK

littelfuse

IXTP102N15T

MOSFET N-CH 150V 102A TO-220

taiwan-semiconductor

TSM70N380CI C0G

MOSFET N-CH 700V 11A ITO220AB