Výrobca Číslo produktu:
DMN60H4D5SK3-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN60H4D5SK3-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 2.5A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventár:
12900593
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN60H4D5SK3-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
273.5 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
41W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252 (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
DMN60
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSS138-7
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FQI16N25CTU
MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK
IXTP102N15T
MOSFET N-CH 150V 102A TO-220
