DMN61D8LVTQ-7
Výrobca Číslo produktu:

DMN61D8LVTQ-7

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMN61D8LVTQ-7-DG

Popis:

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26

Inventár:

9565 Ks Nové Originálne Na Sklade
12888579
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

DMN61D8LVTQ-7 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
630mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.74nC @ 5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
12.9pF @ 12V
Výkon - Max
820mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Balík zariadení dodávateľa
TSOT-26
Základné číslo produktu
DMN61

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
DMN61D8LVTQ-7DIDKR
DMN61D8LVTQ-7DITR
DMN61D8LVTQ-7DICT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
diodes

DMN3022LDG-13

MOSFET 2N-CH 30V 7.6A PWRDI3333

diodes

DMN16M0UCA6-7

MOSFET 2N-CH 12V 17A X4-DSN2112

diodes

DMN2025UFDB-13

MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN

diodes

DMC4029SSD-13

MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A 8SO