Výrobca Číslo produktu:
DMN62D0LFB-7B
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN62D0LFB-7B-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 100mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventár:
12891749
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN62D0LFB-7B Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.45 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
32 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
470mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
X1-DFN1006-3
Balenie / puzdro
3-UFDFN
Základné číslo produktu
DMN62
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10,000
Iné mená
DMN62D0LFB-7BDITR
31-DMN62D0LFB-7BTR
DMN62D0LFB7B
31-DMN62D0LFB-7BCT
DMN62D0LFB-7BDICT
DMN62D0LFB-7BDIDKR
DMN62D0LFB-7BDIDKR-DG
DMN62D0LFB-7BDICT-DG
31-DMN62D0LFB-7BDKR
DMN62D0LFB-7BDITR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMN62D0LFB-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
242572
ČÍSLO DIELU
DMN62D0LFB-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.06
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN1023UCB4-7
MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
DMN2026UVT-7
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
DMN1014UFDF-13
MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN