Výrobca Číslo produktu:
DMN95H8D5HCTI
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN95H8D5HCTI-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 950 V 2.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventár:
18 Ks Nové Originálne Na Sklade
12884090
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN95H8D5HCTI Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
950 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
470 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ITO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
DMN95
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
DMN95H8D5HCTIDI
DMN95H8D5HCTI-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFP5N100PM
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
207
ČÍSLO DIELU
IXFP5N100PM-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.67
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMPH4015SSS-13
MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
DMP6185SK3-13
MOSFET P-CH 60V 9.4A TO252
DMN6069SFGQ-7
MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
