Výrobca Číslo produktu:
DMP1007UCB9-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMP1007UCB9-7-DG
Popis:
MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
Podrobný popis:
P-Channel 8 V 13.2A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount U-WLB1515-9 (Type C)
Inventár:
1716 Ks Nové Originálne Na Sklade
12949356
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMP1007UCB9-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
8 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13.2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±6V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
900 pF @ 4 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
840mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
U-WLB1515-9 (Type C)
Balenie / puzdro
9-UFBGA, WLBGA
Základné číslo produktu
DMP1007
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
31-DMP1007UCB9-7DKR
DMP1007UCB9-7DI-DG
DMP1007UCB9-7DI
31-DMP1007UCB9-7TR
31-DMP1007UCB9-7CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DI9435T
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP
DMP6110SVTQ-7
MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
DMN95H8D5HCT
MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
