Výrobca Číslo produktu:
DMP2005UFG-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMP2005UFG-7-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 89A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Inventár:
12883946
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMP2005UFG-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
89A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
900mV @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4670 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.2W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI3333-8
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
DMP2005
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMP2005UFG-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
756
ČÍSLO DIELU
DMP2005UFG-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.26
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
TPN4R712MD,L1Q
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7052
ČÍSLO DIELU
TPN4R712MD,L1Q-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.25
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSS84-7
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
DMN3016LFDE-13
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
DMN10H220LVT-13
MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
