DMP2008UFG-13
Výrobca Číslo produktu:

DMP2008UFG-13

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMP2008UFG-13-DG

Popis:

MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 14A (Ta), 54A (Tc) 2.4W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8

Inventár:

13173 Ks Nové Originálne Na Sklade
12882770
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

DMP2008UFG-13 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14A (Ta), 54A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6909 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.4W (Ta), 41W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI3333-8
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
DMP2008

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
DMP2008UFG-13DITR
DMP2008UFG-13DICT
DMP2008UFG-13DIDKR
DMP2008UFG-13DI
DMP2008UFG-13DI-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
diodes

DMP1245UFCL-7

MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616

diodes

DMN10H120SFG-13

MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333

diodes

DMN2011UFDF-13

MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN

diodes

DMN10H170SFG-7

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333